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洗浄・結晶成長プロセスエンジニア/外資系半導体メーカー/世界トップクラスのシェア/年収~5000万円

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世界トップシェアクラスの外資系半導体ウェハメーカーで、洗浄工程・結晶成長工程のプロセスエンジニアのリーダーとして品質・歩留まり向上を目指していただきます。

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ポジション 洗浄・結晶成長プロセスエンジニア/外資系半導体メーカー/世界トップクラスのシェア/年収~5000万円
仕事内容 職種名
洗浄工程、結晶成長工程プロセスエンジニア

求人内容

■求人企業名
外資系シリコンウエハ製造メーカー

■仕事内容
■ポジション(韓国亀尾市勤務)
1. 洗浄工程エキスパート
1-1 ウェハクリーニングプロセスエンジニア
・Siウェハ洗浄プロセスエンジニア、温度、酸素濃度などのプロセスレシピ設計

1-2 パーティクル及びメタル不純物コントロールエンジニア
・ウェハ欠陥およびメタル不純物のコントロール
・粒子状汚染物(パーテイクル)などの残渣制御の知識がある方
・ウェットステーションの改造や新規設計の経験

2. EPI薄膜エキスパート
2-1 EPI薄膜プロセスエンジニア
・結晶成長のプロセスレシピまたは部品設計を用いて、表面プロファイル制御を行う
・LLS (Laser Light Scattering: 微粒子計測)によるダスト検出を行い、その調整を行う

2-2 機器開発
・CVD成膜装置機器の改造または新規導入設計に携わって頂きます。
キーパーツとして、サセプタ、MOCVD用の石英反応管、回転アセンブリを使用して、安定した熱伝導および移動機構を見て頂きます。
FDC(Faults Detect and Classification)システム上での分析等の業務

2-3 結晶成長後プロセスの洗浄工程
・結晶成長における洗浄工程と表面キャラクタリゼーション

3. 結晶成長エンジニア
3-1 Si結晶成長プロセスエンジニア
・結晶成長中の温度、マイクロ(マルチ)引き下げ法などのプロセスレシピ改善、考案
・融液成長法(溶融法)による新技術開発

3-2 Si結晶欠陥と酸素濃度(Oi)制御技術者
・欠陥の無いまたは急速に引き上げる結晶の開発。溶液法による結晶成長炉内のホットゾーン設計、
単結晶用石英反応管、ナノ・マイクロ構造体を自発的に3次元配列させる磁場アセンブリの開発
・結晶成長中の回転軸方向・径方向の均一性の制御

3-3 機器開発エンジニア
・結晶成長の精密制御のための改変または設計、プログラム設定(PID)、各種センサの設定
・PLCコーディング
応募資格の概要 必須
半導体洗浄工程、CVDプロセスエンジニアのいずれかのご経験
こだわり条件 外資系企業 上場企業 大手企業 英語力不問
事業内容・会社の特徴 会社概要:外資半導体ウエハメーカー
事業内容 : 単結晶インゴット、半導体用ウエハー(太陽光発電用)の生産メーカー
2017年度売上: 1000億円(シェア世界シェア第4位)
日本法人は2010年に設立
拠点:韓国に4工場、テキサス州サンホセ市(米国)、上海(中国)、パリ(フランス)、名古屋(日本)の5地域に海外拠点
近年数百億円の投資を行い、着実に成長をしている企業です。
グループ全体での売上規模は5兆円程度。
業種 メーカー/総合電機
職種 電)生産技術
雇用形態 正社員
勤務地(都道府県) 東京都
市区郡 千代田区
勤務地(詳細) 韓国
勤務時間 9:00-18:00 但しR&D、工場によって始業、終業時間は若干異なります。
年収 2000万円~4999万円
待遇・福利厚生 社会保険完備、家具家電付きの住居、通訳、航空券、交通費(実費)会社負担
休日休暇 土日祝日休み(会社カレンダーによります)

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