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第三世代パワー半導体の急成長企業/SiC基板技術者/シリーズAで大型資金調達済/顧問可/～2000万

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SiC等の第3世代半導体のR&D企業。設立5年で売上約60億円まで成長、今年大型の資金調達を完了しSiC専用の新工場も設立予定。SiC技術者としてロードマップ策定から技術指導並びに品質改善を担います。

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ポジション 第三世代パワー半導体の急成長企業/SiC基板技術者/シリーズAで大型資金調達済/顧問可/～2000万
仕事内容 ＜ポジション＞SiC基板技術者 ＜職務内容＞・SiC基板の結晶成長に関わる技術指導・ワイドバンドGap半導体の技術ロードマップの策定・チーム管理：シミュレーション、熱設計電力、機器のメンテナンス等・結晶成長における品質管理、品質改善
応募資格の概要 ＜必須条件＞高温CVD法（HTCVD）によるSiC基板の結晶成長技術を5年以上有する方
こだわり条件 外資系企業 新規事業 海外出張 英語力不問 土日祝休み
事業内容・会社の特徴 ・SiCやGaNなどの第3世代半導体の研究開発と製造を行っている企業です。2018年の設立以後、売上50‐60億円まで成長、今年6月にシリーズAラウンドにおいて、約760億円超の資金調達を完了し、2025年には新工場（SiCデバイス）を立ち上げる予定です。・自社製品は、IGBTやSiCのパワーデバイス(MOSFET、IPM)ですが、SiC基板を外部調達し、エピ結晶成長からパッケージングまでのデバイス生産を行っています。
業種 メーカー/化学・素材・バイオ
職種 化)研究・開発
雇用形態 正社員
勤務地（都道府県） 東京都
勤務地（詳細） 東京都（在宅可）＋中国への出張
勤務時間 9：00～18：00
年収 800万円～1999万円
待遇・福利厚生 ＜社会保険＞健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険
休日休暇 ＜休日＞土・日・祝

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